部件业务

大面积碳化硅

CVD SIC 是通过化学气相沉积技术制备的碳化硅。
KNJ 利用累积的 CVD SIC 技术,开发出从薄膜到数毫米厚的稳定 Bulk 蒸镀技术确保了稳定的生产工艺。

Bulk CVD SiC Components

利用CVD工法生产的产品,具有高温、高压和抗腐蚀性能,主要用于半导体、航空航天和能源产业。 CVD SIC 部件在半导体工艺中可提升耐久性和稳定性,有助于提高收率。

产品特性

耐蚀性强

耐化学性强

比硅寿命长

未因热变形

适合半导体工艺的高纯度粒子

更高硬度和强度

CVD-SiC Properties

Property KNJ Value Unit
Purity 99.9999 -
Density 3.21 g/cm³
Porosity Negligible -
Elastic Modulus 466 GPa
Flexural Strength 506.7 MPa
Vickers Hardness 2540 kg/mm²
Thermal Conductivity 267.2 W/m*K
CTE(100~1000°C) 4~4.5 10⁻⁶/K
Volume Resistivity According to customer requirements Ω*cm

产品种类

  • 01
    SiC Focus Ring
    主要用于蚀刻工艺,围绕晶圆外围,确保等离子体的均匀分布,提高工艺精度和均一性。
  • 02
    功率半导体用碳化硅环
    SIC RING 在功率半导体制造中用于高电压、高电流处理,并保障电气绝缘和稳定性。
  • 03
    Shower Head 用于半导体制作中均一喷射
    CVD(化学气象蒸气蒸着)气体, 用于提高蒸镀工艺的均一性。
  • 04
    SiC Dummy Wafer
    多晶SiC晶圆用于测试PVD、CVD、酸化和蚀刻工艺及其条件。

联系方式

  • Contact Person
    LEE CHANG MIN 总负责
  • Tel
    070-7201-8963
  • Email
    changmin.lee@knj.kr